出版社内容情報
レーザラマン分光法による半導体の評価について最新の研究成果を詳細に論述．半導体材料デバイスの開発や特性改善を目的として実際的な適用方法を紹介．原理と装置，結晶面方位の測定，物質の同定，表面のストレス・結晶構造の乱れ・不純物等の評価を解説．
目次
１ レーザラマン分光法の原理と装置
２ 半導体評価技術としてのラマン分光法の特徴
３ 結晶の面方位の測定
４ 物質の同定―陽極酸化膜‐半導体構造中の遊離物質の評価
５ 化合物半導体表面のストレスの評価
６ 結晶構造の乱れの評価〈１〉―ＧａＡｓイオン注入層の構造評価
７ 結晶構造の乱れの評価〈２〉―アモルファスシリコンの評価
８ 局在モードに基づく半導体中の不純物の評価
９ プラズモン‐ＬＯフォノン結合モードに基づく電気的特性評価
１０ 混晶半導体の評価
１１ 超格子構造とその無秩序化の評価
