内容説明
東京大学公開フォーラムは、大学において得られた研究成果をまとめて公表し、開かれた大学としての任務の一端を担って当該分野の学問の発展に寄与することを目的とした開催された。これは、その趣旨にもとづいて、化合物半導体エレクトロニクスの現状を把握し、その将来を展望するのに役立つよう、第１回フォーラムの内容をそのまま出版したものである。
目次
化合物半導体の結晶成長（結晶成長のカイネティクスと形態不安定性；分子線エピタキシーによる超薄膜ヘテロ構造の作成・電子物性・デバイス応用の研究）
化合物半導体の特性評価（化合物半導体中の深い準位―ＥＬ２の成因を中心に；レーザラマン分光法による化合物半導体の評価）
化合物半導体デバイス（化合物半導体ＭＩＳ電界効果トランジスタにおける界面電子伝導と安定性；コヒーレント光伝送に用いられる化合物半導体デバイス；ＧａＡｓＩＣ及びＯＥＩＣの特性に及ぼす基板の効果；半導体レーザの動的不安定性―モードホッピング雑音の起因；化合物半導体の電気光学特性と導波型光変調デバイス；光演算・記憶の微視的機構の理論的考察；量子井戸レーザにおけるダイナミックス）
