内容説明
現在のシリコン半導体製造プロセスでは、じつにさまざまな材料が使用されている。また、製造技術の急進により新たに導入される材料も多い。本書は、これら半導体製造材料を構造とプロセスにそってわかりやすく解説したものである。材料名の羅列を避け、初心者向けに半導体材料の物理的イメージに主眼をおいてまとめられた技術者必携の入門書である。
目次
第１章 半導体材料とトランジスタ構造
第２章 シリコンの物性とシリコンウェハ
第３章 配線・電極材料
第４章 層間絶縁膜材料
第５章 高誘電率膜材料
第６章 リソグラフィプロセス材料
第７章 半導体プロセス・ガス材料
第８章 ＣＭＰプロセス材料
第９章 ウェットプロセス材料
著者等紹介
遠藤伸裕［エンドウノブヒロ］
１９４６年山形県米沢市生まれ。１９７１年静岡大学工学部工業化学科修士課程修了。１９７２年日本電気（株）中央研究所入社。１９８８年静岡大学より工学博士号授与。１９９３年日本電気（株）半導体グループＵＬＳＩデバイス開発研究所勤務。２０００年～（株）半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）・応用物理学会、電子情報通信学会会員
小林伸好［コバヤシノブヨシ］
１９７５年東京大学理学部物理学科卒業。１９８０年東京大学大学院理学系研究科物理学博士課程修了。１９８０年～２０００年（株）日立製作所勤務。１９８５年～１９８６年米国スタンフォード大学工学部電気電子学科客員研究員。２０００年（株）半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）・応用物理学会、電気電子技術者協会（ＩＥＥＥ）会員
若宮亙［ワカミヤワタル］
１９５３年大阪生まれ。１９７７年大阪大学基礎工学部電気工学科卒。１９７７年～２０００年三菱電気（株）勤務。２０００年～（株）半導体先端テクノロジーズ（Ｓｅｌｅｔｅ）・応用物理学会会員
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