Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions : Microelectronic Devices (2021. 152 S. 220 mm)
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Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions : Microelectronic Devices (2021. 152 S. 220 mm)  Paperback

Prasad, Dr. Chowdam Venkata/Reddy, Prof. Varra Rajagopal

  • ウェブストア価格 ¥15,490(本体¥14,082)
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING(2021発売)
  • ポイント 140pt
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Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device : Surface chemical states, Electrical and carrier transport properties of GaN based MIS type Schottky Junctions (2022. 108 S. 220 mm)
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Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device : Surface chemical states, Electrical and carrier transport properties of GaN based MIS type Schottky Junctions (2022. 108 S. 220 mm)  Paperback

Manjunath, Dr. V./Rajagopal Reddy, Prof. Varra

  • ウェブストア価格 ¥16,491(本体¥14,992)
  • SCHOLARS' PRESS(2022発売)
  • ポイント 149pt
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