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Novel Schottky contacts to n-type gallium nitride : Microelectronic device applications （2011. 148 S. 220 mm）
  • 洋書

Novel Schottky contacts to n-type gallium nitride : Microelectronic device applications （2011. 148 S. 220 mm）  Paperback

Rajagopal Reddy, Varra

  • ウェブストア価格 ¥14,595（本体¥13,269）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2011発売）
  • ポイント 132pt
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Ti-Based Schottky Contacts to n-InP: Electronic Device Applications （2018. 148 S. 220 mm）
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Ti-Based Schottky Contacts to n-InP: Electronic Device Applications （2018. 148 S. 220 mm）  Paperback

Rajagopal Reddy, Varra/ Subba Reddy, D

  • ウェブストア価格 ¥13,828（本体¥12,571）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2018発売）
  • ポイント 125pt
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Gallium Nitride Based Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Structures （2016. 148 S. 220 mm）
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Gallium Nitride Based Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Structures （2016. 148 S. 220 mm）  Paperback

Rajagopal Reddy, Varra/ Lakshmi, B. Prasanna

  • ウェブストア価格 ¥13,828（本体¥12,571）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2016発売）
  • ポイント 125pt
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Studies on Schottky Electrodes to n-type Indium Phosphide : Electronic Device Applications （2019. 116 S. 220 mm）
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Studies on Schottky Electrodes to n-type Indium Phosphide : Electronic Device Applications （2019. 116 S. 220 mm）  Paperback

Matli, Bhaskar Reddy/ Vallivedu, Janardhanam/ Varra, Rajagopal Reddy

  • ウェブストア価格 ¥10,860（本体¥9,873）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2019発売）
  • ポイント 98pt
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Rare-earth Metal Schottky Contacts on p-type InP : Electronic device applications （2016. 136 S. 220 mm）
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Rare-earth Metal Schottky Contacts on p-type InP : Electronic device applications （2016. 136 S. 220 mm）  Paperback

Dasaradha Rao, L./ Rajagopal Reddy, Varra

  • ウェブストア価格 ¥15,313（本体¥13,921）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2016発売）
  • ポイント 139pt
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Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device : Surface chemical states, Electrical and carrier transport properties of GaN based MIS type Schottky Junctions （2022. 108 S. 220 mm）
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Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device : Surface chemical states, Electrical and carrier transport properties of GaN based MIS type Schottky Junctions （2022. 108 S. 220 mm）  Paperback

Manjunath, Dr. V./Rajagopal Reddy, Prof. Varra

  • ウェブストア価格 ¥16,302（本体¥14,820）
  • SCHOLARS' PRESS（2022発売）
  • ポイント 148pt
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Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions : Microelectronic Devices （2021. 152 S. 220 mm）
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Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions : Microelectronic Devices （2021. 152 S. 220 mm）  Paperback

Prasad, Dr. Chowdam Venkata/Reddy, Prof. Varra Rajagopal

  • ウェブストア価格 ¥15,313（本体¥13,921）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2021発売）
  • ポイント 139pt
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