超ＬＳＩ技術〈１３〉デバイスとプロセス その３

西沢 潤一【編】

工業調査会（1989/08発売）

• サイズ B5判／ページ数 341p／高さ 28X20cm
• 商品コード 9784769310747
• NDC分類 549.8
• Cコード C3055

目次

１　大容量ＭＯＳＤＲＡＭプロセス技術―現状と今後の課題
２　メガヒットＤＲＡＭ回路技術
３　薄いシリコン酸化膜とその界面の構造
４　タングステン選択ＣＶＤ技術
５　微細Ａｌ配線の信頼性
６　微細コンタクト技術の基礎としての金属／半導体界面
７　選択エピタキシャル成長におけるファセットと積層欠陥の発生機構
８　集束イオンビーム技術
９　プラズマプロセスにおけるイオン・ラジカルの診断と制御