目次
第1編 シリコン結晶成長技術(シリコン結晶成長技術の進展;CZ法シリコン結晶中の欠陥核形成;酸素濃度制御と磁界技術;連続充填引上げ法;二層引上げ法;融液対流とシミュレーション技術)
第2編 化合物半導体結晶成長技術(液体封止引上げ法;水平ブリッジマン法;垂直ブリッジマン法;2‐6族結晶成長法)
第3編 酸化物結晶成長技術(引上げ法;融液成長法;溶液成長法;対流、熱流シミュレーション)
第1編 シリコン結晶成長技術(シリコン結晶成長技術の進展;CZ法シリコン結晶中の欠陥核形成;酸素濃度制御と磁界技術;連続充填引上げ法;二層引上げ法;融液対流とシミュレーション技術)
第2編 化合物半導体結晶成長技術(液体封止引上げ法;水平ブリッジマン法;垂直ブリッジマン法;2‐6族結晶成長法)
第3編 酸化物結晶成長技術(引上げ法;融液成長法;溶液成長法;対流、熱流シミュレーション)
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