内容説明
本書では、エピタクシーの最近までの発展経過を簡単に述べ、表面構造や表面の相転移について説明したのち、エピタクシー過程の代表的な研究方法と、それから得られる情報について解説する。つぎに、次世代のエレクトロニクスを担う代表的な材料である半導体、金属、酸化物超伝導体、ダイヤモンド等をとり上げ、そのエピタクシャル成長や薄膜の制御方法、薄膜の物性について、最近の発展を中心に説明する。
目次
１ エピタクシー研究の歴史
２ 表面の理論
３ 表面の相転移
４ ＧａＡｓ表面および吸着層
５ 金属およびＳｉ表面におけるアルカリ金属吸着
６ 走査トンネル顕微鏡と半導体表面の理論
７ 走査トンネル顕微鏡によるＳｉ表面の観察
８ 電子顕微鏡法による表面構造の解析
９ 電子顕微鏡によるエピタクシャル成長のその場観察
１０ ＲＨＥＥＤの強度振動とエピタクシーの制御
１１ 電子線、Ｘ線分光によるエピタクシーの解析
１２ イオン散乱分光によるエピタクシーのその場解析
１３ 半導体薄膜のエピタクシーとその制御
１４ 金属の多層膜の生成とその物性
１５ 酸化物超伝導体のエピタクシーとその表面・界面
１６ 気相からのダイヤモンド成長とエピタクシー
