はじめての半導体デバイス

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はじめての半導体デバイス

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  • サイズ B5判/ページ数 152p/高さ 26cm
  • 商品コード 9784764905238
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

出版社内容情報

基礎を直観的かつ本質的に理解することを目指す。数式よりも図を多用し理解出来るように工夫。直感的・本質的に理解!!
半導体デバイスは,厳密に学ぼうとすると量子力学から解き明かさなければならず大変ハードルが高くなる.本書は,著者のメーカーと大学での講師経験から,直観的かつ本質的に理解出来るよう,式よりも図を用いて丁寧に解説した.
各章末には,演習課題と,詳細な解答を用意して確実に理解出来るようしてある.付録ではより確実な理解を得るために,重要な事項について解説を行っている.初学者には最適の書である.


1.半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2.半導体の基礎物理
3.pn接合ダイオード
4.バイポーラトランジスタ
5.MOSキャパシタ
6.MOSトランジスタ
7.超LSIデバイス


執行 直之[シギョウ ナオユキ]
東芝 メモリ事業部 担当部長・神奈川大学 非常勤講師

目次

1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2章 半導体の基礎物理
3章 pn接合ダイオード
4章 バイポーラトランジスタ
5章 MOSキャパシタ
6章 MOSトランジスタ
7章 超LSIデバイス
付録

著者等紹介

執行直之[シギョウナオユキ]
千葉大学工学部電子工学科卒、1980年東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士(工学)。IEEE Fellow。1980年(株)東芝に入社。総合研究所、システムLSI事業部などを経て、現在はメモリ事業部担当部長。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。1982年に3次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超LSIの実現に貢献した(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。