出版社内容情報
基礎を直観的かつ本質的に理解することを目指す。数式よりも図を多用し理解出来るように工夫。直感的・本質的に理解!!
半導体デバイスは,厳密に学ぼうとすると量子力学から解き明かさなければならず大変ハードルが高くなる.本書は,著者のメーカーと大学での講師経験から,直観的かつ本質的に理解出来るよう,式よりも図を用いて丁寧に解説した.
各章末には,演習課題と,詳細な解答を用意して確実に理解出来るようしてある.付録ではより確実な理解を得るために,重要な事項について解説を行っている.初学者には最適の書である.
1．半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2．半導体の基礎物理
3．pn接合ダイオード
4．バイポーラトランジスタ
5．MOSキャパシタ
6．MOSトランジスタ
7．超LSIデバイス
執行 直之［シギョウ ナオユキ］
東芝 メモリ事業部 担当部長・神奈川大学 非常勤講師
目次
１章 半導体とＭＯＳトランジスタの簡単な説明
２章 半導体の基礎物理
３章 ｐｎ接合ダイオード
４章 バイポーラトランジスタ
５章 ＭＯＳキャパシタ
６章 ＭＯＳトランジスタ
７章 超ＬＳＩデバイス
付録
著者等紹介
執行直之［シギョウナオユキ］
千葉大学工学部電子工学科卒、１９８０年東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士（工学）。ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。１９８０年（株）東芝に入社。総合研究所、システムＬＳＩ事業部などを経て、現在はメモリ事業部担当部長。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。１９８２年に３次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超ＬＳＩの実現に貢献した（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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