出版社内容情報
【セールスポイント】
半導体･IC技術者の世界的バイブル
【発刊の目的と内容】
本書は、発展を続けるIC技術の根幹を成すプレーナ技術に関する基本的な問題で多くの研究成果を発表しているGrove博士により、半導体の基本物理からシリコン酸化膜、MOS技術についてまとめられたものである。この分野を志す人びとにとって必ず読まなければならないバイブルとして、全世界で広く読まれている。
【購読対象者】
応用物理、電気、電子関連の大学、短大、高専の学生および教官の方、ならびに半導体デバイス関連の研究、設計に携わる方や製造技術の開発者の方
【詳細目次】
Ⅰ部 固体技術♂1章 気相成長♂1.1 膜成長の運動論♂1.2 気相物質移動♂1.3 気体の諸性質♂2章 熱酸化♂2.1 酸化膜成長の運動論♂2.2 酸化に与える空間電荷効果♂3章 固体拡散♂3.1 流束♂3.2 輸送方程式♂3.3 拡散層♂3.4 単位拡散理論からのずれ♂3.5 熱酸化中における不純物再分布♂3.6 シリコン酸化膜を通しての拡散(酸化膜マスキング)♂3.7 エピタキシャル成長における不純物再分布♂Ⅱ部 半導体と半導体デバイス♂4章 半導体物理の初歩♂4.1 固体のバンド理論♂4.2 半導体における電子と正孔♂4.3 フェルミ-ディラックの分布関数♂4.4 平衡状態における半導体の重要な式♂4.5 電子と正孔の輸送♂5章 非平衡状態の半導体♂5.1 注入♂5.2 再結合過程の物理♂5.3 低水準注入における寿命♂5.4 表面再結合♂5.5 再結合-発生中心のソース♂6章 pn接合♂6.1 静電場♂6.2 階段接合の空間電荷領域♂6.3 直線傾斜接合の空間電荷領域♂6.4 拡散接合の空間電荷領域♂6.5 キャパシタンス-電圧特性♂6.6 電流-電圧特性♂6.7 接合の降伏♂6.8 過渡現象♂7章 接合トランジスタ♂7.1 トランジスタの動作原理♂7.2 トランジスタに流れる電流：電流利得♂7.3 単位理論の制限とその拡張♂7.4 ベース抵抗♂7.5 最大電圧制限♂7.6 最小電圧制限♂7.7 熱制限♂8章 接合型電界効果トランジスタ♂8.1 動作原理♂8.2 接合型電界効果トランジスタの特性♂8.3 単体理論の拡張♂Ⅲ部 表面効果と表面制御型デバイス♂9章 半導体表面の理論♂9.1 表面空間電荷領域の特性-平衡状態の場合♂9.2 理想MIS(MOS)構造♂9.3 MOS特性に与える仕事関数差、電荷および表面準位の効果♂10章 pn接合に与える表面効果♂10.1 表面空間電荷領域の特性-非平衡状態の場合♂10.2 ゲート制御型ダイオード構造♂10.3 表面空間電荷領域における再結合-発生過程♂10.4 電界誘起型接合とチャネル電流♂10.5 接合の降伏電圧に与える表面効果♂11章 表面電界効果型トランジスタ♂11.1 動作原理♂11.2 表面電界効果型トランジスタの特性♂11.3 単体理論の拡張♂11.4 その他の表面電界効果型トランジスタ♂12章 シリコン-シリコン酸化膜系の性質♂12.1 速い表面準位♂12.2 酸化膜中の空間電荷♂12.3 界面電荷♂12.4 障壁エネルギ♂12.5 表面移動度♂12.6 酸化膜表面の電動♂12.7 その他の絶縁膜♂索引
内容説明
本書の目的はプレーナシリコンデバイス、すなわちプレーナ技術によって作られたデバイスの物理と技術の基礎を供することにある。現在、ＬＳＩ、超；ＳＩさらには超々ＬＳＩと発展しつつあるＩＣ技術の成長を可能にした根元は、二つの半導体の内に多くの素子を集積しようとする概念と、シリコンの表面をシリコン酸化膜で覆い、その絶縁膜の上に配線して素子を結ぶ技術があった。後者の技術がプレーナ技術と呼ばれ、１９５９年にフェアチャイルド社で開発され特許出願されたものである。
目次
第１部 固体技術
第２部 半導体と半導体デバイス
第３部 表面効果と表面制御型デバイス
感想・レビュー
※以下の感想・レビューは、株式会社ブックウォーカーの提供する「読書メーター」によるものです。
ピューリタン
