Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren : Physikalische Modellbildung auf der Grundlage von Material- und Geometrieparametern (2008. 120 S. 240 mm)
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Modellierung des Avalancheeffekts in InAlAs/InGaAs-Heterobipolar-Transistoren : Physikalische Modellbildung auf der Grundlage von Material- und Geometrieparametern (2008. 120 S. 240 mm)  Paperback

Weiss, Oliver

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